Giới thiệu Mosfet K2611 900V Kênh N

Thông số kỹ thuật:



Điện áp đánh thủng: 900V.

Điện áp VGS = +/-30V

Dòng chịu đựng trung bình: 11A.

Nhiệt độ hoạt động: -55oC ~ 150oC.

Công suất: 300W

Mosfet IRF K2611 là mosfet kênh N hay mosfet ngược.



Mosfet IRF K2611 là Transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) là một Transistor đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường. Mosfet IRF K2611 có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợp cho khuyếch đại các nguồn tín hiệu yếu.

Mosfet thường có công suất lớn hơn rất nhiều so với BJT, Mosfet IRF K2611 có công suất lên tới là 300W. Đối với tín hiệu 1 chiều thì nó coi như là 1 khóa.

Mosfet IRF K2611 thích hợp cho việc chuyển đổi DC sang AC hay DC. Thường ứng dụng trong UPS, inverter có biến thế thường.
Giá PEDRO